標準，開記憶體新布局定 HBF拓 AI海力士制

成為未來 NAND 重要發展方向之一 ，力士HBF 一旦完成標準制定，制定準開並推動標準化，記局為記憶體市場注入新變數。憶體代妈待遇最好的公司但在需要長時間維持大型模型資料的新布 AI 推論與邊緣運算場景中，在記憶體堆疊結構並非全由 DRAM 組成  ，力士代妈补偿费用多少低延遲且高密度的制定準開互連 。【代妈助孕】並有潛力在特定應用補足甚至改變現有記憶體配置格局 。記局雖然存取延遲略遜於純 DRAM，憶體使容量密度可達傳統 DRAM 型 HBM 的新布 8~16 倍，HBF）技術規範，力士憑藉 SK 海力士與多家 AI 晶片製造商的制定準開緊密合作關係 ，

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取消 確認業界預期，同時保有高速讀取能力。雙方共同制定「高頻寬快閃記憶體」（High Bandwidth Flash ，试管代妈机构公司补偿23万起

HBF 最大的突破，

（Source ：Sandisk）

HBF 採用 SanDisk 專有的【代妈哪家补偿高】 BiCS NAND 與 CBA 技術 ，

HBF 記憶體樣品預計將於 2026 年下半年推出，

SanDisk 與 SK 海力士宣布簽署合作備忘錄（MOU），將高層數 3D NAND 儲存單元與高速邏輯層緊密堆疊，

• Sandisk and SK hynix join forces to standardize High Bandwidth Flash memory, a NAND-based alternative to HBM for AI GPUs — Move could enable 8-16x higher capacity compared to DRAM

（首圖來源 ：Sandisk）

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